股票配资门户平台社区 晶丰明源零待机功耗电源方案助力量产，三星60W氮化镓充电器拆解
最近充电头网拿到了三星一款60W氮化镓快充充电器，这是一款专为三星2025年及以后发布的旗舰机型设计的电源适配器，除采用氮化镓技术以及能够为三星旗舰机提供60W大功率快充外，产品还有一大核心技术亮点，便是实现了待机零功耗。
充电头网了解到，为达成这一目标，产品基于晶丰明源BP87650A+BP62650A电源方案设计，搭配其专利磁耦通讯反馈元件BP818，无需偏置电流即可实现初次级通信，进一步消除了反馈环路带来的待机损耗，实现整套方案功耗低至2mW以下，远低于IEC62301标准所规定的数值，可为更高功率快充产品的能效升级预留充足余量。
作为全球消费电子领军企业，三星早在2021年就明确提出，其手机充电器产品上执行的20mW待机标准在2025年前要全部更换至5mW。这款充电器的推出，既兑现了三星当年的能效承诺，也为行业树立了新的技术标杆。下面我们就来看看产品的具体设计。
三星60W零待机功耗氮化镓充电器开箱包装盒外观延续经典样式设计，正面印有SAMSUNG品牌、产品名称及其机身正面、顶部外观图。
背面印有包装清单、产品参数、生产日期以及相关提示信息等。
包装盒上参数特写，下面到产品实物展示环节再介绍。
包装内含充电器、三包凭证以及有毒有害物质清单。
充电器延续家族经典样式设计，机身通体黑色，表面磨砂工艺处理抗指纹。
机身正面中心是经典闪电logo和“Super Fast Charging”设计。
侧面印有60W和Low Standby。
背面印有充电器参数信息。
充电器参数特写
型号：EP-T6010
输入：100-240V~50/60 1.6A
输出：（PDO）5V3A、9V3A、15V3A、20V3A
（PPS）5-20V3A（15-60W）
生产厂：RFTECH THAI NGUYEN CO., LTD
充电器通过了CCC认证和VI级能效认证。
充电器配备新国标插脚。
顶部配备单USB-C接口，居中布局。
实测充电器机身长度为48.08mm。
宽度为46.13mm。
厚度为28.11mm。
和苹果67W充电器放在一起对比，体积优势很明显。
产品拿在手上的大小直观感受。
另外测得充电器重量约为103g。
测得USB-C口支持PD3.0、PPS、QC5、DCP充电协议。
PDO报文显示还具备5V3A、9V3A、15V3A、20V3A四组固定电压档位，以及5-11V5A、5-16V4A、5-21V3A三组PPS电压档位。
使用三星这款60W零待机功耗氮化镓充电器给Galaxy S26 Ultra充电，测得充电功率约为51.54W。
实测110V输入情况下，三星60W零待机功耗氮化镓充电器的空载待机功耗为1.23mW。
220V输入情况下，三星60W零待机功耗氮化镓充电器的空载待机功耗为1.8mW（由0.0018W换算而得）。
据《IEC62301 家用电器待机功耗的测量》这一标准规定，功耗<5mW即为零待机，基于晶丰明源BP87650A+BP62650A电源方案设计的这款三星充电器实测数据完全符合标准。
三星60W零待机功耗氮化镓充电器拆解将充电器机身顶部外壳拆开，边缘采用超声波焊接封装。
由于PCBA模块灌胶的缘故，固定十分牢固，只能通过进一步切割外壳取出。
壳体内侧四面均做了绝缘散热设计。
内侧粘贴的都是铜箔以及耐高温绝缘胶带。
输入端为接触式通电设计，插脚与金属片压接。
实测PCBA模块长度为44.45mm。
宽度为42.81mm。
厚度为23.66mm。
PCBA模块包裹散热铜片，同时输入端以及中段区域灌胶处理。
将导热胶以及散热铜片清理掉，散热铜片一体式设计，并且完全包裹胶带绝缘，对应PCB板背面部分还贴有麦拉片进行隔离。
PCBA模块正面设有共模电感、滤波电容、变压器等器件，整体布局紧凑有序。模块左侧还焊接两块小板，初次级间做了隔离，USB-C接口母座外套塑料壳加固保护。
主板背面设有初级主控芯片、磁耦、贴片Y电容以及协议芯片。
PCBA模块一侧焊接输入小板、共模电感、整流小板、高压滤波电解电容以及差模电感，整流小板两面都贴有导热陶瓷板。
将输入小板拆下，板子正面设有延时保险丝以及共模电感。
延时保险丝来自贝特电子，出料号932，规格为2A 250V。
小板上共模电感打胶加固。
另一颗共模电感特写，采用两颗滤除EMI干扰。
整流桥型号RULBF810T。
高压滤波电解电容来自CapXon丰宾，规格为400V27μF。
差模电感包裹绝缘胶带。
模块前端设有另外三颗高压滤波电解电容。
三颗高压滤波电解电容也是来自丰宾，规格都是400V18μF。
另一侧设有主控芯片供电电容、变压器以及固态滤波电容，变压器外套塑料壳加固，同时起到隔离绝缘作用。
将电容、变压器等器件拆掉后，可以看到主板正面变压器下方区域还设有氮化镓功率开关管、次级控制器、同步整流管以及VBUS开关管。
主控芯片供电电容来自丰宾，规格为80V10μF。
初级主控芯片来自BPS晶丰明源，型号BP87650A，这是一款高性能准谐振反激式控制器，可在快速充电器应用中实现零空载功耗。该芯片通过磁耦合器BP818与次级侧控制器BP62650A进行通信，实现次级侧调节。由于磁耦合器工作时无需偏置电流，系统空载功耗显著降低至5mW以下。
BP87650A工作在QR/DCM常规模式下，并采用谷底开关技术以实现高效率与优良的EMI性能。其集成了增强型氮化镓功率晶体管栅极驱动器、700V高压启动电流源以及支持高达150V输入的辅助供电模块，高度集成的特性可大幅减少外部元件数量并降低系统成本，是紧凑型旅行适配器应用的理想选择。
BP87650A还提供完备的保护功能，确保系统在异常条件下免受损坏。芯片采用SSOP-10封装，符合MSL-3湿敏等级标准。
氮化镓功率开关管来自纳微，型号NV6015C，这是一颗高性能增强型氮化镓功率开关管，内部集成Source Kelvin引脚以增强抗噪能力。采用底部散热的5×6mm QFN封装，有效降低热阻和封装电感，节省占板面积。
NV6015C内置150mΩ导通电阻，耐压700V（支持800V瞬态过压），开关频率高达10MHz，具有超低的栅极电荷、零反向恢复电荷和低输出电荷，显著降低开关损耗。
变压器特写。
晶丰明源专利的磁耦通讯反馈元件BP818，与光耦外观相同，已经通过了全球安规认证。器件内置两个耦合线圈用于初次级通信，无需偏置电流，有效降低了待机功耗。
晶丰明源BP818资料信息。
贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TMY1101K。
特锐祥贴片Y电容资料信息。
晶丰明源BP62650A是一款AC/DC次级侧控制器，与BP87650A配合使用，可在旅行适配器应用中实现零待机功耗。该芯片采用基于输出电压纹波的控制算法，可实现快速瞬态响应，同时无需复杂的环路补偿电路。
BP62650A通过磁耦合器BP818向初级侧控制器发送请求信号，实现对输出电压的调节。在待机状态下，BP62650A可受控进入超低功耗休眠模式，次级侧功耗极低，同时消除了反馈电阻网络的损耗，且磁耦合器无需偏置电流，所有这些使得系统功耗远低于5mW。
BP62650A集成了先进的同步整流控制器，可优化驱动占空比，提升系统效率。借助电荷泵供电，其输出电压可低至2.8V。芯片采用QFN3*3-16L封装，符合MSL-3湿敏等级标准。
同步整流管来自韩国SemiHow，型号HRLF69N10，采用DFN5*6封装。
两颗输出滤波固态电容也是来自丰宾，规格均为28V390μF。
协议芯片同样来自晶丰明源，型号BP63430N，这是一款高度集成的Type-C/PD和DPDM快充协议源端控制器，符合最新的USB Type-C和PD 3.1标准，支持BC1.2、QC5/4+/3+/3.0/2.0、UFCS等主流快充协议，并支持私有协议定制，适用于电源适配器、墙插充电器、车载充电器等应用。
BP63430N集成了32位处理器、多个GPIO和定时器、I2C与UART接口、12位ADC、VIN和VBUS放电路径、用于VBUS调节以支持宽工作电压范围（最大额定值25V）的12位DAC、用于控制外部VBUS NMOS负载开关的栅极驱动器以及保护电路。芯片采用QFN4*4-20L封装。
输出VBUS开关管丝印65N03，采用DFN3*3封装。
全部拆解一览，来张全家福。
充电头网拆解总结最后附上三星60W零待机功耗氮化镓快充充电器的核心器件清单，方便大家查阅。
三星60W零待机功耗氮化镓快充充电器延续了家族经典的黑色磨砂外观设计，配备新国标插脚与单USB-C接口，支持PD3.0、PPS、QC5快充协议，可为三星Galaxy S26 Ultra等旗舰机型提供最高60W快充功率。
实测充电器在110V和220V空载条件下，待机功耗分别为1.23mW和1.8mW，远低于IEC62301标准规定的5mW零待机门槛，能效表现极为出色。
拆解发现产品采用了晶丰明源BP87650A+BP62650A零待机功耗电源方案，搭配其专利的磁耦通讯反馈元件BP818，无需偏置电流即可实现初次级通信，从根本上消除了反馈环路带来的待机损耗。此外，协议芯片同样采用晶丰明源BP63430N，实现了从初级控制到次级协议的全套解决方案。
正是这套方案的深度赋能股票配资门户平台社区，有力助力三星快充产品的待机功耗做到毫瓦级别，兑现当年的能效承诺。晶丰明源全套零待机方案能够打入三星全球旗舰机充电器供应链，更意味着三星对晶丰明源方案技术成熟度、产品稳定性及量产交付能力的高度认可，标志着国产模拟芯片在高端快充领域已具备与国际一线大厂同台竞技的实力。
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